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半導體芯片光刻高低溫一體機

參考價	￥ 29000
訂貨量	≥1臺

具體成交價以合同協議為準

公司名稱邁浦特機械(四川)有限公司
品牌邁浦特 MAIPT
型號MPTD
所在地成都市
廠商性質生產廠家
更新時間2026/1/14 9:41:26
訪問次數135

產品標簽:

半導體芯片光刻高低溫一體機 ±1℃光刻專用高低溫機 -45~300℃抗干擾芯片光刻溫控機防電磁契合半導體潔凈環境可編程光刻溫控一體機 100 組程序

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公司介紹主營產品

邁浦特科技公司于2010年成立于香港，蘇州邁浦特機械有限公司是邁浦特公司在大陸設立的生產基地，并于2017年在南通成立南通邁浦特公司。邁浦特—直致力于TCU溫控系統，導熱油系統，高低溫機，模溫機，油溫機，水溫機，油加熱器，電加熱油爐，冷水機，冷熱一體機的研發、生產、銷售、服務和技術咨詢，是為您提供工業溫度控制技術及解決方案的供應商。

邁浦特借助于多年的成熟經驗，以專業技術為橡塑材料，壓鑄，食品，化工，醫療，印刷，包裝，木材，壓機，復合材料，碳纖維復材成型，鋰電池隔膜，橡膠輪胎，壓延，鞋材，烘干以及科研行業提供所需的各種溫控設備和技術服務。主要有產品包括模溫機，油溫機，水溫機，油加熱器，冷水機，電加熱油爐，防爆模溫機，PLC模溫機，水循環溫度控制機，油循環溫度控制....

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機械設備銷售，特種設備銷售，風機，風扇銷售，泵及真空設備銷售，制冷，空調設備銷售，貨物進出口，儀器儀表銷售，計算機軟硬件及輔助設備零售，氣體，液體分離及純凈設備銷售，機械設備研發，軟件開發

產品簡介在線詢價

產地	國產	產品大小	其他
產品新舊	全新	結構類型	其他

半導體芯片光刻高低溫一體機，專為半導體芯片光刻工藝溫控設計，核心解決溫度波動致光刻精度不足、芯片性能偏差問題。以硅油為介質，控溫精度 PID±0.1℃，采用 PLC 與 9 組獨立 PID 控溫。支持 100 組可編程程序，實時顯溫 + 曲線，USB 導出數據。具備 10 重安全保護，0-40℃環境 24 小時穩定運行，契合半導體行業標準，為光刻流程提供精準溫控支撐。

半導體芯片光刻高低溫一體機產品信息

半導體芯片光刻高低溫一體機（MPTD 系列）產品簡介

支持非標定制，免費提供技術規格書、方案。

一、產品定位與核心用途

專為半導體芯片光刻全流程（如光刻膠涂覆前預處理、曝光環境溫控、顯影后烘烤、光刻膠固化）溫控需求研發設計，屬于邁浦特 MPTD 系列 - 45℃~300℃高低溫一體機范疇，核心用于解決光刻過程中溫度波動導致的光刻膠涂布不均、線寬偏差、圖形畸變、芯片性能一致性差及良率偏低等問題。通過硅油循環構建 - 45℃~300℃寬域高精度可控溫度環境，適配低溫預處理、恒溫曝光、梯度烘烤、高溫固化等關鍵場景，為提升光刻精度（線寬誤差≤±0.1μm）、保障芯片性能穩定性、提高生產良率（目標≥99.5%）提供核心溫控支撐。

適配半導體芯片制造企業、晶圓代工廠、半導體研發機構、光刻設備配套廠商等場景，可在 0-40℃環境溫度、50%-80% 相對濕度、±4℃/h 溫差工況下每周 7 天、每天 24 小時連續運行，契合半導體行業對 “超高精度、高潔凈性、低干擾、強合規性” 的嚴苛要求，同時滿足 SEMI（半導體設備與材料國際標準）、GB/T 2423（電工電子產品環境試驗）等相關標準，保障半導體芯片光刻工藝合規、高效開展。

二、核心性能特點

1. 精準控溫適配，覆蓋光刻全流程

控溫范圍覆蓋 - 45℃~300℃，溫控精度達 PID±0.1℃，采用邁浦特 PLC 控溫系統（內置 9 組獨立 PID 溫區段控制邏輯），搭配中國臺灣銘揚 PT100 鉑電阻測溫體（響應≤0.1 秒，誤差≤±0.05℃），可精準匹配光刻各環節的溫控需求：

光刻膠預處理：-45℃~0℃±0.1℃（去除光刻膠中水分與揮發性雜質，提升涂布均勻性，如光刻膠低溫儲存與預處理）；
恒溫曝光：20℃~25℃±0.05℃（維持曝光環境溫度穩定，避免溫度漂移導致線寬偏差，如深紫外光刻曝光工位溫控）；
梯度烘烤：60℃~150℃±0.1℃（0.2℃/min~0.8℃/min 可調斜率）（促進光刻膠與晶圓結合，優化圖形輪廓，如軟烘、硬烘工藝）；
顯影后固化：120℃~200℃±0.1℃（增強光刻膠附著力與耐蝕刻性，如光刻膠高溫固化）；
低溫性能驗證：-20℃~10℃±0.1℃（模擬芯片低溫運行環境，驗證光刻圖形穩定性）。

系統支持進出口溫度、物料與本機溫度雙向切換，加熱冷卻雙 PID 協同控制，能快速響應光刻設備啟停、晶圓裝載帶來的熱負荷沖擊，確保光刻區域溫度波動≤±0.3℃，避免因局部溫差異致光刻缺陷（如線寬偏差超 0.2μm、圖形畸變率超 1%）。

支持 100 組可編工藝程序，每組含 100 條步驟，可預設 “光刻膠預處理→恒溫曝光→軟烘→顯影→硬烘→固化” 全流程溫控曲線（如 “25℃降溫（0.5℃/min，預處理準備）→-10℃恒溫 4h（光刻膠干燥）→23℃升溫（0.6℃/min，曝光準備）→23℃恒溫 8h（曝光工序）→90℃升溫（0.4℃/min，軟烘準備）→90℃恒溫 30min（軟烘）→25℃降溫（0.5℃/min，顯影準備）→150℃升溫（0.3℃/min，硬烘準備）→150℃恒溫 1h（硬烘）→180℃升溫（0.2℃/min，固化準備）→180℃恒溫 2h（固化）”），一鍵調用自動執行。配備 7 寸邁浦特定制觸摸顯示屏，實時顯示溫度與動態曲線；支持 USB 導出 24 個月數據，標配 Modbus RS485 通訊，可與光刻設備、晶圓制造 MES 系統聯動，實現溫控參數與生產數據（線寬檢測結果、良率、光刻膠涂布厚度）同步采集。

2. 高效穩定循環，契合半導體潔凈工況

高效循環控溫設計：采用直接加熱（直接冷卻）方式，加熱功率 5.5~25kW 可按需適配（小型研發光刻設備選 5.5~10kW，大型晶圓生產線選 15~25kW）。加熱管選用 SUS316L 不銹鋼材質，法蘭型連接搭配陶瓷絕熱設計，熱效率達 95% 以上，無粉塵、無雜質析出，契合半導體潔凈要求；全密閉管道式設計結合高效板式熱交換器，降低硅油需求量的同時提升熱量利用率，快速響應溫度調節需求，縮短工藝準備時間（如從常溫降至 - 10℃僅需 30 分鐘，升至 23℃僅需 20 分鐘，升至 150℃僅需 40 分鐘）。

配備邁浦特定制磁力油泵（耐溫 - 110℃~350℃，日本 NSK 軸封），揚程 28~100M、流量 6.5~250m3/h，確保硅油在光刻設備夾層、恒溫腔體內均勻流動，晶圓表面溫度偏差≤±0.2℃，避免局部涂布不均。主管路為不銹鋼材質，經無縫氬弧焊接工藝處理，耐壓抗震，內壁光滑潔凈，無顆粒脫落風險；搭配高溫 Y 型過濾器（過濾精度≥5μm），過濾硅油中雜質，防止污染光刻膠或晶圓；硅油選用高穩定性、低揮發、低污染型號（揮發量≤0.1%/100h@150℃），與光刻膠、晶圓無兼容性風險，無需頻繁更換，降低生產中斷頻率。

低干擾與潔凈設計：設備運行噪音≤65dB、振動≤0.2mm/s，不會干擾光刻設備的精密傳動與激光信號傳輸；膨脹箱內硅油不參與循環，溫度維持在常溫～60℃，減少氧化與揮發，避免揮發物污染潔凈車間空氣或附著在晶圓表面；整機采用 2mm 厚碳鋼噴塑機架，防腐蝕、易清潔，可耐受半導體車間常規清潔（如無塵布擦拭、中性清潔劑清洗），無粉塵產生，契合 Class 1000 級潔凈車間要求。

3. 多重安全保護，規避高價值生產風險

具備 10 重全面安全保護裝置，針對半導體芯片光刻 “高晶圓價值、高設備成本、連續生產” 特性定制安全邏輯：

溫度與介質保護：循環硅油超安全溫度上限（如 250℃，防止光刻膠碳化、晶圓損壞）或低于下限（如 - 45℃，避免管路凍裂）時，自動切斷電源并聲光報警，同時聯動光刻設備停止運行；液位開關實時監測油位，缺油時立即停機，避免油泵空轉損壞，防止溫控中斷導致高價晶圓（如 12 英寸晶圓）報廢或光刻圖形失效。
動力與壓力保護：瑞士 CARLO DPA51CM44 逆相保護器檢測電源相位，防止泵浦反轉；德國西門子 3RU6116 熱繼電器保護泵浦與壓縮機超載，報警提示；系統壓力異常（高壓≥2.8MPa、低壓≤0.2MPa）時，自動停止加熱并啟動 BY-PASS 泄壓回路，避免管路爆裂引發安全事故；管路阻塞時，泄壓回路保護泵浦，保障循環系統穩定，避免生產中途中斷。
應急與操作保護：配備雙重緊急停止按鈕（本地 + 遠程），設備異常（如溫度驟升、泄漏）時可快速切斷運行，適配無人值守的長周期生產場景；短路（超溫）保護采用韓國 LS 空氣開關，快速切斷故障電路，避免引發電氣安全事故；支持手動 / 自動排氣功能，快速排出系統內空氣，確保溫控精度，預防氣阻致局部溫度偏差影響光刻質量；電氣部件采用低電磁輻射設計，避免干擾光刻設備的精密電子元件。

4. 定制化適配，貼合光刻場景需求

接口與布局定制：熱媒體進 / 出口管徑可根據光刻設備接口規格、潔凈車間布局定制，支持 DN10~DN50 多種尺寸，無需改造現有半導體設備，降低安裝成本；可根據車間空間（如緊湊潔凈車間、大型晶圓生產線）定制機架尺寸，底部加裝抗震腳墊或萬向輪（帶剎車），便于設備移動與定位，減少空間占用；針對多工位并行光刻，可定制多出口管路與多點溫控功能，同時為不同光刻工位控溫，提升生產效率（如同時適配 2~4 臺光刻設備）。
功能擴展定制：針對高精度研發需求（如制程光刻工藝研發），可選購 ±0.05℃超高精度控溫模塊，進一步提升溫控穩定性；針對遠程運維需求，可選配 PROFINET/PROFIBUS 以太網通訊功能，實現與半導體工廠監控中心聯動，遠程查看溫控數據、調整工藝參數，適配多車間協同管理；針對節能需求，可擴展智能變頻功能，根據生產負荷自動調節加熱 / 制冷功率，降低運行能耗（如節能 15%~20%）；針對高潔凈要求，可定制全封閉防塵外殼、強化過濾系統，提升設備抗污染能力，契合更高等級潔凈車間（Class 100 級）需求。

三、關鍵技術參數（典型機型）

參數類別	具體參數
電源規格	3N-380V-50Hz（允許電壓波動 ±10%，相間電壓差 ±2%）
總電功率	9.5~37kW（380V 3N）
熱媒體	高穩定性低揮發硅油（耐 - 45℃~300℃，揮發量≤0.1%/100h@150℃，低污染、無顆粒析出）
控溫范圍	-45℃~300℃（核心光刻區間 - 45℃~200℃）
控溫精度	PID±0.1℃（可選 ±0.05℃超高精度）
控溫方式	邁浦特 PLC 系統，9 組獨立 PID 分段控溫，加熱冷卻雙 PID 控制，溫度切換功能
加熱功率	5.5~25kW（可選購，適配不同光刻規模）
制冷量	-40℃：0.9~4.7kW；-20℃：2.9~16kW；25℃/150℃/200℃：5.5~25kW（可選購）
循環泵	邁浦特定制磁力油泵，耐溫 - 110℃~350℃，日本 NSK 軸封（揚程 28~100M，流量 6.5~250m3/h）
主管路材質	不銹鋼（SUS316L），無縫氬弧焊接工藝，抗震防腐蝕、無顆粒脫落
節流方式	電子膨脹閥或毛細管
壓縮機	美國谷輪 / 卡萊爾全封閉渦旋式壓縮機（運行穩定，噪音≤65dB）
安全保護	溫度異常、電源逆相、泵浦超載、缺油、壓力異常、管路阻塞等 10 重保護
數據功能	7 寸觸摸顯示屏（實時溫度 + 曲線），USB 導出 24 個月數據，Modbus RS485 通訊
工作環境	溫度 0-40℃，相對濕度 50%-80%，低粉塵、無強腐蝕性氣體（符合半導體潔凈車間要求）

四、安裝與環境適配要求

1. 安裝規范

電源配置：需使用三相 380V 50Hz + 地線，建議采用 3xmm2+1xmm2 銅芯電纜線（由需方自備），電纜規格根據設備總功率匹配（如 9.5kW 機型選 3x4mm2+1x2.5mm2），確保電源輸出穩定，避免電壓波動影響溫控精度；做好接地處理（接地電阻≤4Ω），防止電磁干擾影響光刻設備、晶圓檢測儀器的信號傳輸與精密控制。
管路連接：熱媒體出入口建議采用不銹鋼硬管連接，需跨越生產區域時可配備耐高溫不銹鋼軟管（長度≤3 米，由需方自備）并加裝保溫管（厚度≥20mm），減少熱損耗；水冷機型需接入潔凈冷卻水（溫度≤20℃，壓力 0.15-0.3MPa），冷卻水需為工業超純水（電導率≤10μS/cm），防止換熱器結垢影響換熱效率，避免水垢雜質污染循環系統或晶圓、光刻膠。
調試條件：在硅油、電供應正常且與光刻設備連接完成后調試，先空載試運行 24 小時，驗證控溫精度、循環穩定性及安全保護功能正常；再帶載調試（用模擬晶圓測試熱負荷），確保恒溫區域溫場均勻性達標（各點溫差≤±0.3℃）、光刻關鍵參數（線寬精度、涂布均勻性）符合要求后，方可投入正式生產。

2. 環境適配

設備機架采用 2mm 厚碳鋼噴塑處理，防腐蝕、易清潔，可耐受半導體潔凈車間的常規清潔方式，不產生二次污染；運行適配 0-40℃的常規車間溫度范圍，無需額外恒溫改造，降低車間建設成本；設備整體設計緊湊，可靈活擺放于光刻設備旁、潔凈車間角落或專用設備區，不占用晶圓轉運、檢測的核心空間，契合半導體車間 “高效、整潔、低干擾” 的布局需求；設備密封性能優良，可有效防止車間粉塵、雜質進入內部部件，延長使用壽命，適配半導體行業連續生產工況。