無錫冠亞制冷加熱控溫系統(tǒng)的典型應(yīng)用：
高壓反應(yīng)釜冷熱源動態(tài)恒溫控制、
雙層玻璃反應(yīng)釜冷熱源動態(tài)恒溫控制、
雙層反應(yīng)釜冷熱源動態(tài)恒溫控制、
微通道反應(yīng)器冷熱源恒溫控制；
小型恒溫控制系統(tǒng)、
蒸餾系統(tǒng)控溫、
材料低溫高溫老化測試、
組合化學(xué)冷源熱源恒溫控制、
半導(dǎo)體設(shè)備冷卻加熱、
真空室制冷加熱恒溫控制。
| 型號 | SUNDI-320 | SUNDI-420W | SUNDI-430W | |
|---|---|---|---|---|
| 介質(zhì)溫度范圍 | -30℃～180℃ | -40℃～180℃ | -40℃～200℃ | |
| 控制系統(tǒng) | 前饋PID ,無模型自建樹算法，PLC控制器 | |||
| 溫控模式選擇 | 物料溫度控制與設(shè)備出口溫度控制模式 可自由選擇 | |||
| 溫差控制 | 設(shè)備出口溫度與反應(yīng)物料溫度的溫差可控制、可設(shè)定 | |||
| 程序編輯 | 可編制5條程序，每條程序可編制40段步驟 | |||
| 通信協(xié)議 | MODBUS RTU 協(xié)議 RS 485接口 | |||
| 物料溫度反饋 | PT100 | |||
| 溫度反饋 | 設(shè)備進(jìn)口溫度、設(shè)備出口溫度、反應(yīng)器物料溫度（外接溫度傳感器）三點(diǎn)溫度 | |||
| 導(dǎo)熱介質(zhì)溫控精度 | ±0.5℃ | |||
| 反應(yīng)物料溫控精度 | ±1℃ | |||
| 加熱功率 | 2KW | 2KW | 3KW | |
| 制冷能力 | 180℃ | 1.5kW | 1.8kW | 3kW |
| 50℃ | 1.5kW | 1.8kW | 3kW | |
| 0℃ | 1.5kW | 1.8kW | 3kW | |
| -5℃ | 0.9kW | 1.2kW | 2kW | |
| -20℃ | 0.6kW | 1kW | 1.5kW | |
| -35℃ | 0.3kW | 0.5kW | ||
| 循環(huán)泵流量、壓力 | max10L/min 0.8bar | max10L/min 0.8bar | max20L/min 2bar | |
| 壓縮機(jī) | 海立/泰康/思科普 | |||
| 膨脹閥 | 丹佛斯/艾默生熱力膨脹閥 | |||
| 蒸發(fā)器 | 丹佛斯/高力板式換熱器 | |||
| 操作面板 | 7英寸彩色觸摸屏，溫度曲線顯示、記錄 | |||
| 安全防護(hù) | 具有自我診斷功能；冷凍機(jī)過載保護(hù)；高壓壓力開關(guān)，過載繼電器、熱保護(hù)裝置等多種安全保障功能。 | |||
| 密閉循環(huán)系統(tǒng) | 整個(gè)系統(tǒng)為全密閉系統(tǒng)，高溫時(shí)不會有油霧、低溫不吸收空氣中水份，系統(tǒng)在運(yùn)行中不會因?yàn)楦邷厥箟毫ι仙蜏刈詣友a(bǔ)充導(dǎo)熱介質(zhì)。 | |||
| 制冷劑 | R-404A/R507C | |||
| 接口尺寸 | G1/2 | G1/2 | G1/2 | |
| 水冷型 W 溫度 20度 | 450L/H 1.5bar~4bar G3/8 | 550L/H 1.5bar~4bar G3/8 | ||
| 外型尺寸 cm | 45*65*87 | 45*65*87 | 45*65*120 | |
| 正壓防爆尺寸 | 70*75*121.5 | 70*75*121.5 | ||
| 標(biāo)配重量 | 55kg | 55kg | 85kg | |
| 電源 | AC 220V 50HZ 2.9kW（max) | AC 220V 50HZ 3.3kW（max) | AC380V 50HZ 4.5kW（max) | |
| 外殼材質(zhì) | SUS 304 | SUS 304 | SUS 304 | |
| 選配 | 正壓防爆 后綴加PEX | |||
| 選配 | 可選配以太網(wǎng)接口，配置電腦操作軟件 | |||
| 選配 | 選配外置觸摸屏控制器，通信線距離10M | |||
| 選配電源 | 100V 50HZ單相，110V 60HZ 單相，230V 60HZ 單相， 220V 60HZ 三相，440V～460V 60HZ 三相 | |||
70℃高低溫循環(huán)一體機(jī)-制冷加熱溫控系統(tǒng)
70℃高低溫循環(huán)一體機(jī)-制冷加熱溫控系統(tǒng)
在半導(dǎo)體工藝設(shè)備運(yùn)行過程中，晶圓制造、芯片封裝測試等環(huán)節(jié)對溫度環(huán)境的要求較為嚴(yán)苛，不同工藝階段需準(zhǔn)確維持特定溫區(qū)，且溫區(qū)間需實(shí)現(xiàn)平穩(wěn)切換。動態(tài)控溫系統(tǒng)作為管理多段溫區(qū)的核心技術(shù)方案，通過溫度檢測、算法調(diào)控與執(zhí)行機(jī)構(gòu)聯(lián)動，可同時(shí)滿足半導(dǎo)體工藝設(shè)備中多個(gè)單獨(dú)溫區(qū)的準(zhǔn)確控制需求，避免溫區(qū)干擾或溫度波動對半導(dǎo)體器件性能造成影響。
一、半導(dǎo)體工藝設(shè)備多段溫區(qū)的劃分與檢測方法
半導(dǎo)體工藝設(shè)備的多段溫區(qū)劃分需結(jié)合工藝流程與設(shè)備結(jié)構(gòu)，確保每個(gè)溫區(qū)對應(yīng)特定工藝需求，同時(shí)通過準(zhǔn)確檢測捕捉各溫區(qū)溫度變化。在晶圓處理設(shè)備中，可根據(jù)功能模塊劃分溫區(qū)，溫區(qū)劃分需避免相鄰區(qū)域熱量過度傳導(dǎo)，通過設(shè)置隔熱層或單獨(dú)氣流通道，減少溫區(qū)間的熱干擾，確保各溫區(qū)溫度互不干擾。
溫度檢測是多段溫區(qū)管理的基礎(chǔ)，需針對不同溫區(qū)特性配置適配的檢測元件與布局方案。對于高精度溫區(qū)，采用高靈敏度溫度傳感器，均勻布置于溫區(qū)關(guān)鍵位置，實(shí)時(shí)采集多點(diǎn)溫度數(shù)據(jù)，通過數(shù)據(jù)結(jié)合技術(shù)計(jì)算溫區(qū)平均溫度與局部偏差；對于寬溫度范圍溫區(qū)，選擇寬量程檢測元件，確保在溫度劇烈變化時(shí)仍能保持檢測穩(wěn)定性。此外，定期對檢測元件進(jìn)行校準(zhǔn)，確保各溫區(qū)檢測值與實(shí)際溫度的偏差控制在工藝允許范圍內(nèi)。
二、動態(tài)控溫系統(tǒng)的多溫區(qū)協(xié)同控制方法
半導(dǎo)體工藝設(shè)備的多段溫區(qū)常存在連接關(guān)系，溫度調(diào)整可能影響相鄰溫區(qū)，動態(tài)控溫系統(tǒng)需通過協(xié)同控制算法與執(zhí)行機(jī)構(gòu)聯(lián)動，實(shí)現(xiàn)多溫區(qū)準(zhǔn)確調(diào)控。在控制算法方面，采用多變量控制策略，將各溫區(qū)溫度作為單獨(dú)控制變量，同時(shí)考慮溫區(qū)間的連接效應(yīng)，建立關(guān)聯(lián)控制模型。對于需同步調(diào)整的多溫區(qū)，采用同步控制算法，確保各溫區(qū)按照預(yù)設(shè)速率同時(shí)升降溫，避免因溫區(qū)調(diào)整不同步導(dǎo)致器件應(yīng)力集中。
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